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    華天昆山“12英寸圓片級高密度硅基扇出型封裝技術的研發及產業化”項目榮獲首屆“金π獎”

    2020-03-29   芯思想

          2020年3月27日,昆山市科技創新發展推進會暨祖沖之攻關計劃表彰儀式舉行。

      華天科技(昆山)電子有限公司的“12英寸圓片級高密度硅基扇出型封裝技術的研發及產業化”項目榮獲首屆“金π獎”,也是唯一獲得金π獎的項目。

      華天昆山2015年開始扇出封裝技術開發,2018年開發成功具有自主知識產權的埋入硅基板扇出型封裝技術eSiFO?(embedded Silicon Fan-out)并進入量產。與使用模塑料塑封不同,eSiFO?使用硅基板為載體,通過在硅基板上刻蝕凹槽,將芯片正面向上放置且固定于凹槽內,芯片表面和硅圓片表面構成了一個扇出面,在這個面上進行多層布線,并制作引出端焊球,最后切割,分離、封裝。

    華天科技eSiFO?示意圖

      eSiFO?技術具有如下優點:

      可以實現多芯片系統集成SiP,易于實現芯片異質集成

      滿足超薄和超小芯片封裝要求

      與標準晶圓級封裝兼容性好,無污染

      良好的散熱性和電性

      可以在有源晶圓上集成

      工藝簡單,翹曲小,無塑封/臨時鍵合/拆鍵合

      封裝靈活:WLP/BGA/LGA/QFP等

      與TSV技術結合可實現高密度三維集成

      由于技術的創新型和巨大應用潛力,2018年3月獲評集成電路產業技術創新聯盟創新獎。

      該技術目前有三個主要應用領域,多芯片系統級封裝,5G毫米波射頻以及三維扇出堆疊。在5G射頻領域,其中多芯片堆疊產品包括4G 射頻前端,毫米波芯片。2018年11月,華天科技與微遠芯發布新聞,成功完成40GHz毫米波eSiFO?封裝技術開發,性能優異。

      2018年華天昆山進一步開發了基于硅基板的三維扇出技術,值得一體的是埋入硅基板扇出型3D封裝結構已獲得國家發明專利授權(授權號CN105575913B)。該技術的特點是利用TSV作為垂直互聯,互連密度可以大大高于目前的臺積電InFO技術。

     臺積電與華天三維晶圓級技術比較 

      eSiFO?封裝技術為后摩爾時代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案,隨著產品應用的不斷豐富,必將推動整個行業的技術發展。 


    集成電路聯盟秘書處:

    地址:北京市朝陽區北土城西路3號電話:010-82997023 010-82995892

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